缺陷檢測、表面檢測、襯底檢測、鍵合檢測、電性檢測等;直徑:測量晶圓的直徑,用于確定其尺寸;厚度:測量晶圓的厚度,以檢測其薄度和穩(wěn)定性;平整度:檢查晶圓表面的平整度,以確保其質(zhì)量和性能;表面粗糙度:測量晶圓表面的粗糙度,以檢測其光學和電學性能;晶格結(jié)構(gòu):分析晶圓的晶格結(jié)構(gòu),以確定其晶體結(jié)構(gòu)和晶體缺陷;摻雜濃度:測量晶圓中的摻雜元素濃度,以檢測其電學性能;電阻率:測量晶圓的電阻率,以檢測其導電性能;載流子濃度:分析晶圓中的載流子濃度,以檢測其半導體特性;光學透過率:測量晶圓的光學透過率,以檢測其光學性能;表面反射率:測量晶圓表面的反射率,以檢測其光學性能;雜質(zhì)檢測:測試晶圓中的雜質(zhì)元素,以檢測其純度;晶圓形狀:檢查晶圓的形狀和邊緣,以檢測其幾何特性;晶圓定位:確定晶圓的定位和對準方式,以確保準確的加工和測試;熱膨脹系數(shù):測量晶圓的熱膨脹系數(shù),以檢測其熱穩(wěn)定性;晶圓扁平度:檢查晶圓的扁平度,以檢測其平整性;晶圓清潔度:測試晶圓表面的清潔度,以確保其無塵和無污染;晶圓顏色:檢查晶圓的顏色,以檢測其質(zhì)量和純度;晶圓密度:測量晶圓的密度,以檢測其物理特性;晶圓硬度:測試晶圓的硬度,以檢測其耐磨性和耐刮擦性;晶圓抗彎性能:測試晶圓的抗彎性能,以確定其結(jié)構(gòu)強度。
檢測范圍晶圓、半導體晶圓、硅晶圓等;硅晶圓;砷化鎵晶圓;磷化鎵晶圓;氮化鎵晶圓;碳化硅晶圓;鍺晶圓;硒化鋅晶圓;硒化鎘晶圓;銅銦鎵硒薄膜晶圓;鈣鈦礦晶圓;鈉鉀鎂釹磷酸鹽晶圓;鐵電晶圓;鋰離子電池正極材料晶圓;太陽能電池晶圓;LED芯片晶圓;半導體器件晶圓;光學元件晶圓;微機電系統(tǒng)(MEMS)晶圓;生物芯片晶圓;光纖通信器件晶圓
檢測儀器顯微鏡;光譜儀;表面粗糙度儀;導電性測試儀;探針站;薄膜測量儀;電子束曝光機;拉曼光譜儀;電子顯微鏡;離子注入機
檢測方法光學顯微鏡檢測法:使用顯微鏡觀察晶圓表面和結(jié)構(gòu)。
X射線衍射分析法:通過X射線衍射儀分析晶圓的晶體結(jié)構(gòu)。
拉曼光譜分析法:使用拉曼光譜儀分析晶圓的化學成分和晶格振動。
電子顯微鏡檢測法:使用電子顯微鏡觀察晶圓的微觀結(jié)構(gòu)和缺陷。
電阻率測量法:測量晶圓的電阻率,以檢測其導電性。
摻雜濃度測量法:使用摻雜濃度測試儀測量晶圓中的摻雜元素濃度。
檢測標準SJ21242-2018晶圓凸點電鍍設(shè)備通用規(guī)范
SJ/T11761-2020200mm及以下晶圓用半導體設(shè)備裝載端口規(guī)范
T/JSSIA0006-2021晶圓級扇出型封裝外形尺寸
GB/T34177-2017光刻用石英玻璃晶圓
GB/T33657-2017納米技術(shù)晶圓級納米尺度相變存儲單元電學操作參數(shù)測試規(guī)范
GB/T40123-2021高純凈細晶鋁及鋁合金圓鑄錠
GB/T26044-2010信號傳輸用單晶圓銅線及其線坯
T/JSSIA0004-2017晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)外形尺寸
T/JSSIA0003-2017晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)系列型譜
DB31/506-2020集成電路晶圓制造單位產(chǎn)品能源消耗限額
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JY/T008-1996四圓單晶X射線衍射儀測定小分子化合物的晶體及分析結(jié)構(gòu)分析方法通則
YB/T072-2011方坯和圓坯連鑄結(jié)晶器
YB/T4141-2005連鑄圓坯結(jié)晶器銅管技術(shù)條件
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